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图二、月1广ACTEM和XPS表征（a）AM2的横截面ACTEM图像。研究者们采用射频磁控溅射法在Ge基底上制备非晶态的Mn掺杂SiGe薄膜，东起并通过非平衡态快速热退火（RTA）使其结晶。

总之，步电报Si0.25Ge0.75:Mnx样品显示出高居里温度铁磁性和高空穴迁移率，有望为半导体自旋电子学研究提供一个重要的材料平台。迄今为止，力现能够同时兼具高居里温度的铁磁性和高载流子迁移率的DMSs仍未见报道。与此同时，货市拉伸应变增大晶格常数也有助于掺杂锰（Mn）的第IV半导体中的铁磁序。

研究工作受到国家重点研发计划——战略性电子材料（No.2017YFB0405702）和国家自然科学基金（No.51671137）的经费支持，场结并得到中科院半导体所赵建华教授、场结王海龙副教授和中科院合肥强磁场中心田明亮教授等的支持和帮助。虽然对于不同材料体系的DMSs已有大量研究，算运但由于合成过程中引入的缺陷等因素，目前的DMSs或居里温度不高、或载流子迁移率较低。

33T强磁场下的霍尔效应测试表明，行日拉伸应变诱导的能带结构调制使得退火样品的空穴迁移率得到极大提高，行日其最大值达到1000cm2V-1s-1，比其他DMSs高出了2个数量级

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